Повторяющееся импульсное обратное напряжение Vrrm, В | 1200 |
Максимально допустимый средний прямой ток It(av), А | 800 |
Тип | модуль силовой полупроводниковый диодный серии МДД |
Конфигурация | полумост |
Повторяющееся импульсное обратное напряжение Vrrm, В | 1200 |
Максимально допустимый средний прямой ток It(av), А | 100 |
Прямое падение напряжения (Vf), В | 1,45 |
Высота | 30 (корпус) мм |
Ширина | 20 мм |
Длина | 92 мм |
Повторяющийся импульсный обратный ток (Irrm), мА | 8 |
Максимальный прямой ток | допустимый импульсный (IFM) - 330 А |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 23*20.5*22/100 |
Вес брутто | 116.60 |
Тип | модуль силовой полупроводниковый диодный серии МДД |
Конфигурация | полумост |
Повторяющееся импульсное обратное напряжение Vrrm, В | 1200 |
Максимально допустимый средний прямой ток It(av), А | 125 |
Прямое падение напряжения (Vf), В | 1,38 |
Высота | 29 (корпус) мм |
Ширина | 34 |
Длина | 94 мм |
Температура | перехода максимально допустимая (Tjm) - 150 °С |
Повторяющийся импульсный обратный ток (Irrm), мА | 12 |
Максимальный прямой ток | допустимый импульсный (IFM) - 410 А |
Вес брутто | 240.00 |
Тип | модуль силовой полупроводниковый диодный серии МДД |
Конфигурация | полумост |
Повторяющееся импульсное обратное напряжение Vrrm, В | 1200 |
Максимально допустимый средний прямой ток It(av), А | 160 |
Прямое падение напряжения (Vf), В | 1,56 |
Высота | 29 (корпус) мм |
Ширина | 34 |
Длина | 94 мм |
Температура | перехода максимально допустимая (Tjm) - 150 °С |
Повторяющийся импульсный обратный ток (Irrm), мА | 12 |
Максимальный прямой ток | допустимый импульсный (IFM) - 480 А |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 31.5*25.2*24/100 |
Вес брутто | 221.20 |
Тип | модуль силовой полупроводниковый диодный серии МДД |
Конфигурация | полумост |
Повторяющееся импульсное обратное напряжение Vrrm, В | 1200 |
Максимально допустимый средний прямой ток It(av), А | 250 |
Прямое падение напряжения (Vf), В | 1,43 |
Высота | 59,9 (корпус) мм |
Ширина | 50 мм |
Длина | 112,5 мм |
Температура | перехода максимально допустимая (Tjm) - 150 °С |
Повторяющийся импульсный обратный ток (Irrm), мА | 20 |
Максимальный прямой ток | допустимый импульсный (IFM) - 750 А |
Вес брутто | 874.40 |
Тип | модуль силовой полупроводниковый диодный серии МДД |
Конфигурация | полумост |
Повторяющееся импульсное обратное напряжение Vrrm, В | 1200 |
Максимально допустимый средний прямой ток It(av), А | 300 |
Прямое падение напряжения (Vf), В | 1,35 |
Высота | 59,9 (в сборе) мм |
Ширина | 50 мм |
Длина | 112,5 мм |
Температура | перехода максимально допустимая (Tjm) - 150 °С |
Повторяющийся импульсный обратный ток (Irrm), мА | 20 |
Максимальный прямой ток | допустимый импульсный (IFM) - 900 А |
Вес брутто | 874.40 |
Тип | модуль силовой полупроводниковый диодный серии МДД |
Конфигурация | полумост |
Повторяющееся импульсное обратное напряжение Vrrm, В | 1200 |
Максимально допустимый средний прямой ток It(av), А | 500 |
Прямое падение напряжения (Vf), В | 1,35 |
Высота | 55 (корпус) мм |
Ширина | 62 мм |
Длина | 126 мм |
Повторяющийся импульсный обратный ток (Irrm), мА | 40 |
Максимальный прямой ток | допустимый импульсный (IFM) - 1500 А |
Вес брутто | 1480.00 |
Тип | модуль силовой полупроводниковый диодный серии МДД |
Конфигурация | полумост |
Повторяющееся импульсное обратное напряжение Vrrm, В | 1200 |
Максимально допустимый средний прямой ток It(av), А | 80 |
Прямое падение напряжения (Vf), В | 1,45 |
Высота | 30 (корпус) мм |
Ширина | 20 мм |
Длина | 92 мм |
Повторяющийся импульсный обратный ток (Irrm), мА | 8 |
Максимальный прямой ток | допустимый импульсный (IFM) - … А |
Вес брутто | 120.20 |